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J-GLOBAL ID：201202287534652601   整理番号：12A0165313

プラズモニクスによる波長選択非冷却赤外センサ

Wavelength selective uncooled infrared sensor by plasmonics

著者 (4件)： OGAWA Shinpei (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  OKADA Kazuya (Coll. of Sci. and Engineering, Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji-higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN) ,  FUKUSHIMA Naoki (Coll. of Sci. and Engineering, Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji-higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN) ,  KIMATA Masafumi (Coll. of Sci. and Engineering, Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji-higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 2  ページ： 021111  発行年： 2012年01月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元プラズモニック結晶場を用いた波長選択非冷却赤外センサを開発した。二次元プラズモニック結晶を数値研究し,吸収波長が表面構造の周期により重荷制御できることを示した。赤外吸収体に二次元プラズモニック結晶を用いた微小機械系に基づく非冷却赤外センサを,相補型金属酸化膜半導体及びマイクロマシニング技術を用いて作製した。二次元プラズモニック結晶吸収体の周期と一致する波長で応答の選択性向上が観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *表面プラズモン ,  結晶 ,  *赤外検出器 ,  マイクロマシン ,  半導体プロセス ,  CMOS構造 ,  吸収体 ,  マイクロマシニング ,  *選択 ,  プラズモニック結晶 ,  MOS構造
準シソーラス用語： CMOS工程 ,  *プラズモニクス ,  *赤外センサ ,  *波長選択 ,  微小機械

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズモニクス ,  波長選択 ,  赤外センサ