ICP-CVDで製作したボトムゲートグラフェンFETsのNO<sub>2</sub>とNH<sub>3</sub>ガス感度に対する温度と湿度の影響

KIM Chang-Hee; YOO Sung-Won; NAM Dong-Woo; SEO Sunae; LEE Jong-Ho

文献

J-GLOBAL ID：201202288908546092 整理番号：12A1037279

ICP-CVDで製作したボトムゲートグラフェンFETsのNO₂とNH₃ガス感度に対する温度と湿度の影響

Effect of Temperature and Humidity on NO₂ and NH₃ Gas Sensitivity of Bottom-Gate Graphene FETs Prepared by ICP-CVD

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資料名：
巻： 33 号： 7 ページ： 1084-1086 発行年： 2012年07月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

グラフェンは,ユニークな構造的機械的および電気的性質を持っているため,化学センサ,DNA順序付けや透明電極など次世代電子素子用の材料として注目されている。本稿では,ICP-CVDで製作したボトムゲートグラフェンFETsの二酸化窒素ガス(NO₂)とアンモニア(NH₃)ガス感度に対する温度と湿度の影響について報告した。NO₂とNH₃に曝されたグラフェンの伝導率変化は温度と湿度の増加により増加した。NO₂に対しては,温度と湿度上昇によりドレイン電流(I_D)が増加したが,NH₃ガスに対しては温度と湿度に対して逆の傾向を示した。これは水分とNH₃が反応してNH₄OHを形成し,これがグラフェンに対してドナーとして働き,その結果ドレイン電流が減少したためである。

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分析機器

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ICP-CVDで製作したボトムゲートグラフェンFETsのNO2とNH3ガス感度に対する温度と湿度の影響

ICP-CVDで製作したボトムゲートグラフェンFETsのNO₂とNH₃ガス感度に対する温度と湿度の影響