文献

J-GLOBAL ID：201202288919434377   整理番号：12A0183719

接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現

Demonstration of 15 kV 4H-SiC PiN Diodes with Improved Junction Termination Structures

著者 (4件)： 丹羽弘樹 (京大 大学院工学研究科) ,  FENG Gan (京大 大学院工学研究科) ,  須田淳 (京大 大学院工学研究科) ,  木本恒暢 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 357(SDM2011 132-148)  ページ： 17-21  発行年： 2011年12月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し,その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JTEと独自の空間変調JTEを組み合わせることで耐圧15kVを達成した。さらにこのような超高耐圧が得られるJTEドーズ量の幅が拡大し,JTEドーズ量の変化に対するロバスト性が向上した。また測定された耐圧のJTEドーズ量依存性はデバイスシミュレーションと比較して高ドーズ側へシフトすることがわかった。これは,酸化膜と半導体界面の電荷による実効的なJTEドーズ量の減少により説明できる。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  *PINダイオード ,  *絶縁耐力 ,  *照射線量 ,  界面 ,  *接合部 ,  半導体接合 ,  オン抵抗 ,  シミュレーション ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  接合界面

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 終端 ,  SiC ,  PINダイオード