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文献
J-GLOBAL ID:201202288919434377   整理番号:12A0183719

接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現

Demonstration of 15 kV 4H-SiC PiN Diodes with Improved Junction Termination Structures
著者 (4件):
資料名:
巻: 111  号: 357(SDM2011 132-148)  ページ: 17-21  発行年: 2011年12月09日
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し,その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JTEと独自の空間変調JTEを組み合わせることで耐圧15kVを達成した。さらにこのような超高耐圧が得られるJTEドーズ量の幅が拡大し,JTEドーズ量の変化に対するロバスト性が向上した。また測定された耐圧のJTEドーズ量依存性はデバイスシミュレーションと比較して高ドーズ側へシフトすることがわかった。これは,酸化膜と半導体界面の電荷による実効的なJTEドーズ量の減少により説明できる。(著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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ダイオード 
タイトルに関連する用語 (3件):
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