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J-GLOBAL ID：201202290664570314   整理番号：12A1220963

Type-II GaSb/GaAs量子リングの室温エレクトロルミネセンス

Room-Temperature Electro-Luminescence of Type-II GaSb/GaAs Quantum Rings

著者 (6件)： LIN Wei-Hsun (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Meng-Yu (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WU Shung-Yi (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Shih-Yen (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIN Shih-Yen (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Shih-Yen (National Taiwan Ocean Univ., Keelung, TWN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24  号： 13-16  ページ： 1203-1205  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これまでのInAs/GaAs量子ドット構造に比較し,GaSb/GaAsの量子ドットはType-II帯域アラインメントと大きな帯域オフセットを示している。Sb/バックグラウンドAsフラックス比のGaSbナノ構造への影響を研究し,Sb/バックグラウンドAsフラックス比の減少とリング形成および光ルミネセンス密度の強化を観測した。GaSb量子リングのルミネセンス強化から,LEDやレーザダイオードのような光デバイス応用にこの構造が有利なことを示した。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  量子ドット ,  *エレクトロルミネセンス ,  室温 ,  *アンチモン化ガリウム ,  ヒ化ガリウム ,  光ルミネセンス ,  発光ダイオード ,  半導体レーザ
準シソーラス用語： *量子リング

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaSb ,  GaAs ,  量子リング ,  室温 ,  エレクトロルミネセンス