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J-GLOBAL ID：201202290993054670   整理番号：12A0925738

非金属置換ZnO単一層における調整可能な磁性:第一原理研究

Tunable Magnetism in a Nonmetal-Substituted ZnO Monolayer: A First-Principles Study

著者 (7件)： GUO Hongyan (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  ZHAO Yu (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  LU Ning (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  KAN Erjun (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Jiangsu, CHN) ,  ZENG Xiao Cheng (Univ. Nebraska-Lincoln, Nebraska, USA) ,  WU Xiaojun (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN) ,  YANG Jinlong (Univ. Sci. and Technol. of China, Anhui, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 20  ページ： 11336-11342  発行年： 2012年05月24日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VASP中で実行したスピン分極平面波密度汎関数法の枠組み内で計算を行い,B,CまたはNドープ二次元ZnO単一層の構造的,電子的および磁気的性質を調べた。超格子当たり一つのBまたはC原子を有するZnO単一層は強磁性(FM)半金属(HM)であり,超格子当たり一つのN原子を有する単一層はFM半導体であった。ドープZnO単一層の全磁気モーメントは主としてドーパントの寄与によった。ZnO単一層中の二つの隣接CまたはB素原子は二量体構造を形成し,非磁性(NM)基底状態を有するn型半導体をもたらした。二つのBまたは二つのC原子間の距離が増大するとき,ZnO単一層はNM-AFM-FMおよび半導体-HM遷移を示した。しかし,ZnO単一層中の二つの隣接N原子は置換したO原子の同一格子部位を占有し,NドープZnO単一層は,二つのN原子間の距離に独立し,反強磁性(AFM)基底状態を有するp型半導体であった。NドープZnO単一層のAFMおよびFM状態の無視できるエネルギー差は,それが室温で常磁性挙動を示すことを意味した。非金属種ドープZnO単一層の調整可能な磁気的性質と電子特性はナノエレクトロニクスおよびスピントニクス応用に利用できる。

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  *磁気的性質 ,  分子構造 ,  電子構造 ,  ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  *単一層 ,  窒素 ,  ホウ素 ,  炭素 ,  超格子 ,  計算 ,  核間距離 ,  半金属 ,  半導体 ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： 第一原理計算

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非金属 ,  置換 ,  ZnO ,  単一層 ,  磁性 ,  第一原理 ,  研究