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J-GLOBAL ID：201202290993341296   整理番号：12A0505355

ZnOの極性面における水素原子のふるまい:第一原理電子構造計算

著者 (5件)： 西館数芽 (岩手大 工) ,  荒木悠 (岩手大 工) ,  伊東賢太郎 (岩手大 工) ,  吉本則之 (岩手大 工) ,  長谷川正之 (岩手大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 67  号： 1 第4分冊  ページ： 952  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電子構造 ,  *酸化亜鉛 ,  水素 ,  水素吸蔵 ,  吸着 ,  密度汎関数法 ,  ポテンシャル障壁 ,  化合物半導体 ,  極性 ,  *極性分子 ,  ab initio法 ,  計算 ,  結晶面
準シソーラス用語： 酸化物半導体 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  極性 ,  水素原子 ,  ふるまい ,  第一原理 ,  電子構造計算