Cu<sub>2</sub>Oの構造およびオプトエレクトロニクス特性に対する電着パラメーターおよび塩化物イオン添加の影響

HALLER Servane; JUNG Julie; ROUSSET Jean; LINCOT Daniel

文献

J-GLOBAL ID：201202291049451280 整理番号：12A1337702

Cu₂Oの構造およびオプトエレクトロニクス特性に対する電着パラメーターおよび塩化物イオン添加の影響

Effect of electrodeposition parameters and addition of chloride ions on the structural and optoelectronic properties of Cu₂O

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資料名：
巻： 82 ページ： 402-407 発行年： 2012年11月01日
JST資料番号： B0535B ISSN： 0013-4686 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Cu₂Oは,2eVのバンドギャップを有するp型半導体であり,太陽エネルギー変換および他の高度な用途に適応する。さらに,Cu₂Oは,豊富な非有毒物質に基づき,低価格の電着によって堆積することができる。このことについて,構造およびオプトエレクトロニクスパラメーターを制御する必要がある。本研究では,筆者らは,電着パラメーター(pHおよび加電圧)および処理後に依存する,構造およびオプトエレクトロニクス特性に関する組織的試験を提案した。また,塩化物イオンの影響も調査する。析出電位は,格子において結晶方向および組織の品質に広い影響があることが分かった。また,アニーリングは,半導体電解質接合の使用によって決定するように,1×10¹⁸cm^-3~5×10¹⁷cm^-3の一般的な値のp型ドーピングレベルを減少させることが分かった。電解質への塩化物の添加によって,層の構造の品質が低下するが,ドーピングレベルの改良を強調することはできなかった。n型ZnOとの固体物理ヘテロ接合を,0.3%の光起電力変換効率をもたらすように,調製した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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塩基,金属酸化物 , 電気化学反応

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Cu2Oの構造およびオプトエレクトロニクス特性に対する電着パラメーターおよび塩化物イオン添加の影響

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