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J-GLOBAL ID：201202291068692174   整理番号：12A0868488

分子線エピタクシーによるBGaAsの成長とビスマス界面活性剤の効果

Growth of BGaAs by molecular-beam epitaxy and the effects of a bismuth surfactant

著者 (3件)： PTAK A.j. (National Renewable Energy Lab., Golden, CO 80401, USA) ,  BEATON D.a. (National Renewable Energy Lab., Golden, CO 80401, USA) ,  MASCARENHAS A. (National Renewable Energy Lab., Golden, CO 80401, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 351  号： 1  ページ： 122-125  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素は,光学素子と電子工学素子の用途用に開発されている歪み平衡圧縮歪み物質,例えば,InGaAsとGaAsBiに潜在的に有用である。GaAsへのホウ素の組み込みに対する理解と改善は,これらの歪み平衡系の実現に向けて重要な第一ステップである。本論文において,X線回折測定から究明したGaAsへのホウ素の見掛け組み込みは,基板温度が上昇すると減少するが,ホウ素の冶金学的濃度の測定値は一定のままであること,を明らかにした。これは,成長温度が上昇すると,ホウ素が非置換型サイトに優先的に組み込まれることを示唆した。ビスマス界面活性剤フラックスの添加は,エピ層を滑らかにするだけではなく,基板温度の狭い範囲において,置換型ホウ素の組み込みを修復させることができた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  ドーピング ,  ホウ素 ,  置換型固溶体 ,  添加物効果 ,  界面活性剤 ,  X線回折 ,  二次イオン質量分析 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  歪 ,  基板温度 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  成長温度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  ビスマス ,  界面活性剤