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J-GLOBAL ID：201202291070565112   整理番号：12A0363667

アンモニアを使用しない化学浴堆積法により成長させたCdS薄膜

CdS thin films growth by ammonia free chemical bath deposition technique

著者 (3件)： JABER A.y. ,  ALAMRI S.n. ,  AIDA M.s.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 9  ページ： 3485-3489  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化カドミウムCdS薄膜を化学浴堆積法により堆積させた。この際,膜調製中の毒性および蒸発を避けるために通常使用されているアンモニアの代わりに錯化剤としてエタノールアミンを用いた。膜の成長メカニズムを調べるために,試料を種々の堆積時間で調製した。1組の基板を同じ浴に浸漬して,30分毎に試料を浴から取り出した。このようにして,すべての試料は同じ浴で成長させた。薄膜の構造はX線回折で解析した。成長の初期は薄膜は非晶質で,堆積時間の増加とともに薄膜は(101)選択配向を有する六方晶構造を示した。薄膜表面のモルフォロジーを原子間力顕微鏡で調べた。これらの観察から,成長の初期は3DVolmer-Webeモードで始まり,続いて堆積時間の増加と共にStransky-Krastanovモードに遷移していくことを結論した。この遷移の臨界厚さは120nmである。薄膜成長の最後にはCdS量子ドットが形成された。紫外-可視領域での光学透過キャラクタリゼーションより,調製した薄膜は600nmより長い波長のフォトンに対して60から80%の高い透過率を有することが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  析出 ,  X線回折 ,  非晶質 ,  六方晶系 ,  薄膜成長 ,  *半導体 ,  *透過率 ,  *量子ドット ,  アンモニア ,  脂肪族アミン ,  脂肪族アルコール ,  アミノアルコール ,  第一アミン
準シソーラス用語： Volmer-Weber成長 ,  *化学浴堆積 ,  光透過率

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： エタノールアミン

タイトルに関連する用語 (5件)： アンモニア ,  化学浴堆積 ,  成長 ,  CdS ,  薄膜