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J-GLOBAL ID：201202291162560419   整理番号：12A0437927

分子ビームエピタクシーによるII-VI半導体量子ドット成長の光ルミネセンスに関する圧力係数

Pressure coefficients of the photoluminescence of the II-VI semiconducting quantum dots grown by molecular beam epitaxy

著者 (10件)： LACH P. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, POL) ,  KARCZEWSKI G. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, POL) ,  WOJNAR P. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, POL) ,  WOJTOWICZ T. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, POL) ,  BRIK M.g. (Inst. of Physics, Univ. of Tartu, Riia 142, Tartu 51014, Estonia) ,  KAMINSKA A. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, POL) ,  RESZKA A. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, POL) ,  KOWALSKI B.j. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, POL) ,  SUCHOCKI A. (Inst. of Physics, Polish Acad. of Sciences, al. Lotnikow 32/46, 02-668 Warsaw, POL) ,  SUCHOCKI A. (Inst. of Physics, Kazimierz Wielki Univ., Weyssenhoffa 11, 85-072 Bydgoszcz, POL)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 132  号： 6  ページ： 1501-1506  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdTeおよびCdSe量子ドットのルミネセンス特性を,高静水圧下で調べた。II-VI量子ドットのルミネセンス圧力係数は,それぞれバルクのCdTeおよびCdSeのバンドギャップの圧力係数と非常に類似していると考えられた。それと反対に,III-V量子ドットのルミネセンス圧力係数は適切なドット材料のエネルギーギャップの圧力係数よりも著しく低かった。この矛盾を理論的モデルで説明できたが,これには薄い歪んだ層における圧力係数に及ぼす歪みの影響を考慮に入れた。量子ドットルミネセンスの実験的に観察した圧力誘起消光は,CdTe量子ドットの「亜鉛鉱-閃亜鉛鉱-辰砂」相転移に起因し,CdSe量子ドットの「亜鉛鉱-閃亜鉛鉱-岩塩型結晶」相転移に起因した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  *セレン化カドミウム ,  *MBE成長 ,  静水圧 ,  高圧 ,  発光スペクトル ,  *量子ドット ,  *光ルミネセンス ,  *係数 ,  圧力 ,  バンドギャップ ,  エネルギーギャップ ,  モデル ,  理論 ,  格子歪 ,  消光 ,  圧力効果 ,  相転移 ,  亜鉛鉱 ,  閃亜鉛鉱 ,  辰砂 ,  岩塩型結晶
準シソーラス用語： ルミネセンススペクトル ,  圧力依存性 ,  *圧力係数 ,  圧力誘起消光 ,  高静水圧 ,  *分子ビームエピタクシー ,  理論的モデル

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビームエピタクシー ,  II-VI半導体 ,  量子ドット ,  成長 ,  光ルミネセンス ,  圧力係数