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J-GLOBAL ID：201202291416198014   整理番号：12A0544870

ClまたはFにより部分的に不動態化されたシリコンナノ結晶の電子物性の理論的研究

Theoretical Study of the Electronic Properties of Silicon Nanocrystals Partially Passivated with Cl and F

著者 (6件)： RAMOS Estrella (Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Mexico) ,  MONROY B. Marel (Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Mexico) ,  ALONSO Juan Carlos (Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Mexico) ,  SANSORES Luis E. (Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Mexico) ,  SALCEDO Roberto (Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Mexico) ,  MARTINEZ Ana (Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Mexico)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 6  ページ： 3988-3994  発行年： 2012年02月16日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ClまたはFにより部分的に不動態化されたシリコンナノ結晶(Si-nc)の電子物性について理解を深めることを目的とし,密度汎関数理論(DFT)計算及び状態密度(DOS)の理論表現を行った。クラスターのサイズ(Si₂₉,Si₃₅,Si₈₇),不動態化に用いた電気陰性原子(FまたはCl)の種類,及び置換率(0%,32-37%,63-67%,100%)の3つの変数がSi-ncの電子物性に与える影響を分析した。0%ハロゲン置換されたSi-ncに対するQCE(量子閉じ込め効果)による予測の結果,HOMO-LUMOギャップはクラスターのサイズが大きくなるほど減少することが示された。対称的に,100%ハロゲン置換されたSi-ncの場合,QCEは隠れ,HOMO-LUMOギャップはクラスターサイズに関わらずほぼ一定の値であった。ClとFの電気陰性がDOSバンドエッジに与える影響について議論し,ClまたはFによって部分的に不動態化されたSi-ncの電気供与性/吸引性の評価を行った。

シソーラス用語： *不動態化 ,  *ナノ結晶 ,  ケイ素 ,  *物理的性質 ,  密度汎関数法 ,  状態密度 ,  量子閉込め ,  エネルギーギャップ ,  クラスタ分子 ,  フッ化ケイ素 ,  塩化ケイ素
準シソーラス用語： *シリコンナノ結晶 ,  *電子物性 ,  HOMO-LUMOギャップ

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cl ,  不動態化 ,  シリコンナノ結晶 ,  電子物性 ,  理論 ,  研究