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J-GLOBAL ID:201202291427257888   整理番号:12A0078851

Zn40Se60薄膜の構造と光学的性質に及ぼす焼なましの影響

Influence of annealing on the structure and optical properties of Zn40Se60 thin films
著者 (3件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 1116-1121  発行年: 2012年06月 
JST資料番号: D0245B  ISSN: 0030-3992  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Zn40Se60の薄膜を真空蒸着技術で調製した。構造特性および光学的特性に及ぼす焼なまし温度の影響を研究した。X線回折(XRD),走査型電子顕微鏡観察(SEM),光透過法を利用した。XRDから,堆積直後膜は非晶質であるが,結晶度は焼なまし温度の上昇で改善された。さらに,焼なまし温度の上昇で,粒子サイズと結晶度が増大し,転位と歪が減少した。SEMの研究を示した。焼なましにより,堆積直後サンプルの形態が変化した。堆積直後膜と焼なまし膜の光学定数を計算した。光吸収機構は直接遷移規則に従った。焼なまし温度を増大すると,光エネルギーギャップ(Eg)が減少することが分かった。この結果は,DavisとMotteのモデルで解釈できた。屈折率(n)の最大値は,焼なまし温度の上昇で長波長にシフトした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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光物性一般  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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