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J-GLOBAL ID：201202291465888034   整理番号：12A0437630

剛な板に接触した弾性薄膜の安定性

Stability of a thin elastic film close to a rigid plate

著者 (3件)： CHEN Yi-chao (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Houston, Houston, TX 77204-4006, USA) ,  FRIED Eliot (Dep. of Mechanical Engineering, McGill Univ., Montreal, Quebec, Canada H3A 2K6) ,  TORTORELLI Daniel A. (Dep. of Mechanical Sci. and Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801-2935, USA)
資料名： Journal of the Mechanics and Physics of Solids  (Journal of the Mechanics and Physics of Solids)
巻： 60  号： 5  ページ： 904-920  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： C0320A  ISSN： 0022-5096  CODEN： JMPSA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 剛な板の表面を基板に強く接着している高分子膜の表面に接近して接触させる事により誘起されるパターン形成に対して変分モデルを導入し検討した。膜は,均質,等方性,超弾性体として取り扱い,膜表面と近接接触子との間の引力的及び反発的van der Waals相互作用を共に考慮した。van der Waalsポテンシャルへの反作用の存在が,膜表面に形成するパターンを安定化するとの直感的予測を確認することは別にして,不安定性の開始における反作用の役割を解明した。二つのパラメータ:Hamaker定数λと平衡間隔Deを含む最近提案されたvan der Waalsポテンシャルに対して,本研究の結果は,うねりが膜表面に現れる限界ギャップdc,うねりの対応波数kc,及びうねりを引き起こすのに必要な引力に対する下界fmに対する予測を含む。主要次数に対して,dc~(Ah/μ)^1/4,kc~1/h,とfm~(μ³A/h³)^1/4,ここでhとμは,膜の厚さと無限小せん断係数を表す。反作用による修正項は,kcがμとAにより影響され,またdcがdeにより影響されることで示される。μとAの知識から,本結果は,de決定に対する簡易実験プロトコルを示唆した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 接触 ,  変分法 ,  *パターン形成 ,  *高分子薄膜 ,  *van der Waals力 ,  表面性状 ,  引力 ,  斥力 ,  *不安定性 ,  半導体プロセス ,  運動学 ,  数学モデル ,  超弾性 ,  境界値問題 ,  相互作用 ,  波数
準シソーラス用語： Hamaker定数 ,  うねり【表面】

分類 (2件)： 高分子固体のその他の性質  (CG02025L) ,  分子間相互作用  (BH07020P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 弾性薄膜 ,  安定性