文献
J-GLOBAL ID:201202291508360853   整理番号:12A0739033

同時のハイブリッド構造作製を通したダイヤモンド中のSiC/SiO2コア-シェルナノケーブルのナノスケール集積

Nanoscale integration of SiC/SiO2 core-shell nanocables in diamond through a simultaneous hybrid structure fabrication
著者 (4件):
資料名:
巻: 100  号: 19  ページ: 193102-193102-4  発行年: 2012年05月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ダイヤモンド薄膜中にSiCナノケーブルのナノスケール集積を,マイクロ波プラズマ化学蒸着プロセスにおけるFe触媒と燃焼ナノダイヤモンド種結晶形成法を組合せた新しい合成経路を通して実現した。得られたハイブリッド構造は,鉄触媒とダイヤモンド種結晶の相対比率に依存した,制御可能なSiCナノケーブルの割合を示す。SiCナノケーブルは,直径が10nmのSiCコアをSiO2シェルが囲んだ円錐の構造となる。ダイヤモンド結晶は,SiCナノケーブルの割合が高くなったハイブリッド構造でも高品質の結晶性を見せる。最後に,ハイブリッド構造の成長挙動を論じた。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長 

前のページに戻る