文献

J-GLOBAL ID：201202291511688525   整理番号：12A0539902

ダイヤモンドパワー素子の高温応用

High temperature application of diamond power device

著者 (4件)： UMEZAWA Hitoshi ,  NAGASE Masanori ,  KATO Yukako ,  SHIKATA Shin-ichi
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 24  ページ： 201-205  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンドは,高い絶縁破壊電界,低誘電率及び高キャリア移動度のため次世代高出力素子として期待される材料である。一次元素子モデルから,高温パワー素子応用のためのSiCダイオードに代わるダイヤモンドショットキー障壁ダイオードにより出力損失の90%削減が期待される。3MV/cm以上の高い絶縁破壊電界が高いショットキー障壁高さを利用することにより実現する。ダイオードは高温条件で低漏洩電流と低いオン抵抗を示す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  *高温 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  絶縁破壊 ,  Schottky障壁 ,  漏れ電流 ,  オン抵抗 ,  誘電率 ,  キャリア移動度 ,  電圧
準シソーラス用語： *パワー素子 ,  絶縁破壊電圧 ,  低誘電率 ,  漏洩電流

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイヤモンド ,  パワー素子 ,  応用