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J-GLOBAL ID：201202291516874351   整理番号：12A1743307

磁気異方性Co-Al-N膜の外部バイアス磁界中における高周波軟磁性特性

High Frequency Soft Magnetic Performance on Magnetically Isotropic Co-Al-N Films in External Bias Field

著者 (7件)： KIJIMA H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KIJIMA H. (Res. Inst. Electromagnetic Materials, Sendai, JPN) ,  ZHANG Y. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOBAYASHI N. (Res. Inst. Electromagnetic Materials, Sendai, JPN) ,  OHNUMA S. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNUMA S. (Res. Inst. Electromagnetic Materials, Sendai, JPN) ,  MASUMOTO H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 48  号： 11  ページ： 2910-2913  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気異方性Co₇₆-Al₁₁-N₁₃膜に種々の方向の外部バイアス磁界(H_ex)を加えた場合の高周波軟磁性特性(μ-f特性)を調べた。試料は,アモルファスAlN基材中に5nmのCo細粒を高周波スパッタリングして作製した。膜面に垂直な比較的大きな磁気異方性を示すとともに,軟磁性を有しており,磁化方向を変えると初期磁気特性が僅かに変化する。測定前に膜を膜面に垂直な高周波磁界(H_rf)で磁気飽和させておくと,2.5GHz前後の共振周波数(f_r)において明らかな透磁率(μ”)のピークが認められる。H_rfに平行に磁気飽和させた膜は,約9GHzで広いμ”ピークを示すが,膜面に垂直なH_exを増大すると,f_rが2.5GHzまで低下する。この様にH_rfを変えることにより,f_rを2.5~9GHzの広い範囲で変えられるのは磁気異方性膜の磁気モーメントの方向が変わることによる。

シソーラス用語： *磁気異方性 ,  金属薄膜 ,  コバルト合金 ,  アルミニウム合金 ,  窒素含有合金 ,  磁場 ,  磁場配位 ,  SHF【周波数】 ,  磁性 ,  磁気的性質 ,  磁場効果 ,  透磁率 ,  磁気モーメント ,  共振周波数 ,  *軟磁性材料
準シソーラス用語： バイアス磁場 ,  軟磁性

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁気異方性 ,  CO ,  Al ,  バイアス磁界 ,  高周波 ,  軟磁性特性