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J-GLOBAL ID：201202291666024313   整理番号：12A1246081

第一原理計算による立方晶BaSnO₃の構造および光電子特性,および赤外スペクトル

Structural and optoelectronic properties, and infrared spectrum of cubic BaSnO₃ from first principles calculations

著者 (7件)： MOREIRA E. (Departamento de Fisica Teorica e Experimental, Universidade Federal do Rio Grande do Norte, 59072-970 Natal, RN, BRA) ,  HENRIQUES J. M. (Centro de Educacao e Saude, Universidade Federal de Campina Grande, Campus Cuite, 58175-000 Cuite, PB, BRA) ,  AZEVEDO D. L. (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Maranhao, Centro de Ciencias Exatas e Tecnologia, 65085-580 Sao Luis ...) ,  CAETANO E. W. S. (Instituto Federal de Educacao, Ciencia e Tecnologia do Ceara, 60040-531 Fortaleza, CE, BRA) ,  FREIRE V. N. (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Ceara, Centro de Ciencias, Caixa Postal 6030, Campus do Pici ...) ,  FULCO U. L. (Departamento de Biofisica e Farmacologia, Universidade Federal do Rio Grande do Norte, 59072-970 Natal, RN, BRA) ,  ALBUQUERQUE E. L. (Departamento de Biofisica e Farmacologia, Universidade Federal do Rio Grande do Norte, 59072-970 Natal, RN, BRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 4  ページ： 043703-043703-8  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局所密度および一般化勾配化近似,それぞれLDAおよびGCAの両方の近似範囲における密度汎関数理論を用いて,立方晶BaSnO₃の電子バンド構造,状態密度,誘電関数,光吸収および赤外スペクトルのシミュレーションを行った。ω=0およびω=∞における誘電率および分極率もまた見積もった。1.01eV(LDA)および0.74eV(GGA)という間接バンドギャップE(R→Γ)を見出したが,これらは実験値(~3.1eV)よりも小さかった。計算した立方晶BaSnO₃バンドギャップとすでに発表されている他のスズ酸塩ASnO₃(A=Ca,Sr,Cd)との比較は,それらが各結晶の形にどう依存するかを際立たせた。放物線フィッテイングにより,伝導帯最小値と価電子帯最大値のいろいろな方向について立方晶BaSnO₃の電子および正孔の有効質量を計算したが,電子および正孔共にそれらは異方的であった。実験によるバンドギャップおよび計算した有効質量は立方晶BaSnO₃の半導体的性格を確かめた。最後に,立方晶BaSnO₃の振動基準モードおよび赤外スペクトルを求め,同定を行った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *バリウム化合物 ,  *スズ化合物 ,  *酸化物 ,  *結晶構造 ,  *赤外スペクトル ,  計算 ,  局所密度汎関数法 ,  *立方晶系 ,  状態密度 ,  誘電関数 ,  光吸収スペクトル ,  シミュレーション ,  光学定数 ,  分極率 ,  バンドギャップ ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  正孔 ,  電子 ,  有効質量 ,  半導体 ,  振動モード ,  誘電率
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  *第一原理計算 ,  電子バンド構造 ,  一般化勾配近似法

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 第一原理計算 ,  立方晶 ,  光電子 ,  赤外スペクトル