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J-GLOBAL ID：201202292096376608   整理番号：12A0441241

SRH統計による両性欠陥再結合のモデリングの限界

Limits to model amphoteric defect recombination via SRH statistics

著者 (4件)： STEINGRUBE S. (Leibniz Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  BRENDEL R. (Leibniz Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  BRENDEL R. (Inst. Solar Energy Res. Hamelin(ISFH), Emmerthal, DEU) ,  ALTERMATT P.P. (Leibniz Univ. Hannover, Hannover, DEU)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 2  ページ： 390-400  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 両性統計の代わりにSRH理論(Shockley-Read-Hall理論)を応用するときに生じる系統誤差を定量化することによって,著者らの拡張したSRH模型と両性模型との違いを詳細に調べた。また,a-Si:H/c-Si界面でのバンド曲がりに対する模型を用いて,トラップされた荷電キャリアによって起こる界面電荷の影響を調べた。両性再結合統計が,1)ドナー様とアクセプタ様の分布が有効相関エネルギーによって分離され,2)荷電欠陥と中性欠陥の捕獲断面積(CCS)との比が1よりかなり大きく,3)欠陥分布がトラップされた電荷に対する擬Fermi準位の間にピークを持つ,という3条件が満足されるならば,ドナー様欠陥状態とアクセプタ様欠陥状態に対する2つの等しい形状分布のSRH形式に近似できることを示した。

シソーラス用語： 理論 ,  *キャリア再結合 ,  *界面 ,  *アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  ケイ素 ,  結晶 ,  バンド構造 ,  モデル ,  系統誤差 ,  *ヘテロ接合 ,  相関エネルギー ,  欠陥 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： Shockley-Read-Hall理論 ,  バンド曲がり ,  荷電欠陥 ,  水素添加アモルファスシリコン ,  中性欠陥

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 統計 ,  欠陥 ,  再結合 ,  モデリング ,  限界