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J-GLOBAL ID：201202292226379787   整理番号：12A0746722

シラナイズ化シリコンオキシド上のポリ(3-ヘキシルチオフェン)薄膜の構造とモルフォロジー最適化

Structure and morphology optimization of poly(3-hexylthiophene) thin films onto silanized silicon oxide

著者 (5件)： SCAVIA G. (Istituto per lo studio delle Macromolecole del CNR via E. Bassini 15 20133 Milano and Polo Scientifico Tecnologico ...) ,  BARBA L. (Istituto di Cristallografia del CNR- c/o Sincrotrone Elettra, Strada Statale 14-Km 163.5 Area Sci. Park, 34012 ...) ,  ARRIGHETTI G. (Istituto di Cristallografia del CNR- c/o Sincrotrone Elettra, Strada Statale 14-Km 163.5 Area Sci. Park, 34012 ...) ,  MILITA S. (Istituto per la Microelettronica e Microsistemi CNR via P. Gobetti 101, 40129 Bologna, ITA) ,  PORZIO W. (Istituto per lo studio delle Macromolecole del CNR via E. Bassini 15 20133 Milano and Polo Scientifico Tecnologico ...)
資料名： European Polymer Journal  (European Polymer Journal)
巻： 48  号： 6  ページ： 1050-1061  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： B0690A  ISSN： 0014-3057  CODEN： EUPJA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常のシラナイザーで官能化した基質を含む調製条件がオーバレイするポリ(3-ヘキシルチオフェン)薄膜の構造/モルフォロジーに及ぼす効果をすれすれ入射X線回折とAFMで調べ,FETへの利用に適するスピンコート膜形成を決定する因子(濃度,スピン速度,熱処理)を考察した。調製条件の調節と沈積後の処理で必要な構造的/モルフォロジー的性質を持つ薄膜調製を最適化した。界面から<10nmの界面ゾーンでのポリマーの配向と組織化は界面から遠く離れた部分より優れていた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *表面構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  シンクロトロン放射 ,  X線回折 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *ウエハ【IC】 ,  表面処理 ,  FET【トランジスタ】 ,  モルフォロジー ,  酸化ケイ素
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  *シラン処理 ,  シリコンウエハ ,  シリコン酸化物 ,  すれすれ入射X線回折 ,  ポリ(3-ヘキシルチオフェン) ,  界面相互作用

分類 (3件)： 高分子固体のその他の性質  (CG02025L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  チオフェン  (CF07074D)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  オキシド ,  3-ヘキシルチオフェン ,  薄膜 ,  モルフォロジー ,  最適化