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J-GLOBAL ID：201202292230179113   整理番号：12A0136920

ダイヤモンド細線鋸切断技術に基づく薄いCzochralskiシリコン太陽電池

Thin Czochralski silicon solar cells based on diamond wire sawing technology

著者 (4件)： YU Xuegong (State Key Lab. of Silicon Materials and Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  WANG Peng (State Key Lab. of Silicon Materials and Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  LI Xiaoqiang (State Key Lab. of Silicon Materials and Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  YANG Deren (State Key Lab. of Silicon Materials and Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 98  ページ： 337-342  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Czochralski(CZ)シリコンのウエハ化で,新しいダイヤモンド細線鋸切断技術を適用した。一層小さい粗さに関係して,ウエハ表面に相変態が起るとが分かった。ダイヤモンド細線鋸でスライスしたウエハは,従来の切断工程に比べて機械的強度が優れており,薄いウエハ作成に有利である。シリコンウエハの減少とともに,長波長域で太陽光の透過と反射が増大する。通常の工程で太陽電池を作成して,その性能を調べた。短絡電流は,ウエハ厚の強い減少関数であり,これは有効光吸収の低下によるものである。開放電圧もある程度低下し,これは少数キャリア寿命における表面再結合の支配が増大するためである。厚さが60μmの極薄ウエハでは,光起電力産業における標準的製作工程に基づく太陽電池でも,依然として16.8%の平均変換効率を実現できる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Czochralski法 ,  *ケイ素 ,  *太陽電池 ,  半導体 ,  ウエハ【IC】 ,  *ダイヤモンド ,  *鋸切断 ,  細線 ,  相変態 ,  厚み ,  短絡電流 ,  光透過 ,  寿命 ,  *超薄膜
準シソーラス用語： 少数キャリア寿命

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド ,  細線 ,  鋸切断 ,  シリコン太陽電池