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J-GLOBAL ID：201202292325721632   整理番号：12A1719060

カーボンナノチューブ分子間p-n接合の製作と特性化

Fabrication and characterization of carbon nanotube intermolecular p-n junctions

著者 (4件)： LI H. (Microelectronics Center, School of Electrical and Electronics Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore ...) ,  ZHANG Q. (Microelectronics Center, School of Electrical and Electronics Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore ...) ,  YAP C.c. (Microelectronics Center, School of Electrical and Electronics Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore ...) ,  TAY B.k. (Microelectronics Center, School of Electrical and Electronics Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore ...)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 77  ページ： 46-50  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,カーボンナノチューブ分子間p-n接合を示して,電子輸送機構を研究する。トンネリングは逆バイアス状態では電子輸送を支配しているが,熱イオン放出は順バイアスの下での主な輸送機構である。ln(I/V²)対1/Vのプロット上に現れる屈折点は,輸送機構が逆バイアス条件のもとで,直接トンネリングからFowler-Nordheimトンネリングへと移行することを示している。対照的に,順バイアスにおけるI-Vカーブのアレニウスプロットは,50K未満ではトンネリングが熱イオン放出より重要であることを示唆する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  エレクトロトランスポート ,  トンネル効果 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： トンネリング ,  *トンネルFET

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： カーボンナノチューブ ,  製作 ,  特性化