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J-GLOBAL ID：201202292331195381   整理番号：12A1157622

超清浄な2層グラフェンにおける自発的なギャップ状態を示す証拠

Evidence for a spontaneous gapped state in ultraclean bilayer graphene

著者 (11件)： BAO Wenzhong (Univ. California, CA) ,  BAO Wenzhong (Univ. Maryland, MD) ,  VELASCO Jairo, Jr. (Univ. California, CA) ,  ZHANG Fan (Univ. Texas at Austin, TX) ,  ZHANG Fan (Univ. Pennsylvania, PA) ,  JING Lei (Univ. California, CA) ,  STANDLEY Brian (California Inst. Technol., CA) ,  SMIRNOV Dmitry (National High Magnetic Field Lab., FL) ,  BOCKRATH Marc (Univ. California, CA) ,  MACDONALD Allan H. (Univ. Texas at Austin, TX) ,  LAU Chun Ning (Univ. California, CA)
資料名： Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America  (Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America)
巻： 109  号： 27  ページ： 10802-10805  発行年： 2012年07月03日 
JST資料番号： D0387A  ISSN： 0027-8424  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板で支持された試料と懸垂された試料で,単一ゲートと2重ゲートの2層グラフェン素子において,電荷中性点で極小伝導率σ_mに2極大分布を観測した。σ_mは(2-3)e²/hで良く表された(eは電子電荷,hはPlanck定数)が,高移動度と低い固有ドーピング両方の2層グラフェン素子では,これは数桁低い値であった。この絶縁性状態は約5Kの転移温度T_c以下で現れ,T=0エネルギーギャップは約3meVであった。この2つの異なる状態間の転移は無秩序性,あるいはキャリア密度によって調整できた。

シソーラス用語： グラファイト ,  電気伝導率 ,  *金属-絶縁体転移 ,  *対称性の自発的破れ ,  キャリア密度 ,  ドーピング ,  電流電圧特性 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： *二層グラフェン ,  単層グラフェン

分類 (2件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 2層グラフェン ,  ギャップ ,  証拠