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J-GLOBAL ID:201202292348737129   整理番号:12A0372896

ゾル-ゲル法による高キュリー温度xBiZn1/2Ti1/2O3-(1-x)PbTiO3圧電膜の作製と性質

Fabrication and Properties of High Curie Temperature xBiZn1/2Ti1/2O3-(1-x) PbTiO3 Piezoelectric Films by a Sol-Gel Process
著者 (4件):
資料名:
巻: 95  号:ページ: 473-475  発行年: 2012年02月 
JST資料番号: C0253A  ISSN: 0002-7820  CODEN: JACTAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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xBiZn1/2Ti1/2O3-(1-x)PbTiO3(x=0.1~0.3)(BZT-PT)を作製し,構造と電気特性を調べた。Pt(111)/Ti/SiO2/Si(111)基板にPbOシード層をスピンコート後,BZT-PT層をコーティングした。X線回折から高度に(111)配向した厚さ600nmの膜が得られた。膜はち密で均一な微細構造を示し,平均粒径は50nmであった。膜の残留分極はx=0.1,0.2及び0.3に対して各々28,20及び15μC/cm2であった。BZT量の増加で結晶異方性が増加し,より大きな分極が期待されたが,残留分極は減少した。理由は不明だが,微細な粒径又は基板からの機械的歪みが影響したと考えられる。室温誘電率はx=0.1,0.2及び0.3に対して各々656,640及び596で,室温誘電損失は0.06以下であった。キュリー温度はxと共に490°Cから600°Cへ増加した。
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  圧電気,焦電気,エレクトレット 
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