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J-GLOBAL ID：201202292458970899   整理番号：12A0723173

酸化インジウム亜鉛中に埋込んだナノサイズ銀層の伝導機構

Conductivity mechanism of nanosized silver layer embedded in indium zinc oxide

著者 (3件)： SUN Jian (Dep. of Material Sci. and Engineering, National Univ. Singapore, Singapore 117543, SGP) ,  LAI Weng Soon (Dep. of Material Sci. and Engineering, National Univ. Singapore, Singapore 117543, SGP) ,  GONG Hao (Dep. of Material Sci. and Engineering, National Univ. Singapore, Singapore 117543, SGP)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 8  ページ： 083712-083712-5  発行年： 2012年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銀を酸化インジウム亜鉛(IZO)中に埋込むとIZO-Ag-IZO(IAI)系で異常な伝導挙動を現すに至る。Ag層が臨界厚みより薄いとIAI試料は半導体的挙動を示すが,その電気抵抗は予想外にIZOのそれより高く,Agが薄くなるほど減少した。臨界厚みを超すと金属性伝導特性が現れ,電気抵抗はIZOのそれより低くなり,厚みがさらに増すと減少した。伝導のモデル/表式を提案し,それは実験データと良く一致した。Haacke性能指数はIZOの3倍にもなった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *金属酸化物 ,  *銀 ,  *ナノ結晶 ,  電気伝導 ,  半導体 ,  金属 ,  *電気抵抗 ,  *性能指数 ,  埋込み【挿入】
準シソーラス用語： *酸化インジウム亜鉛

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化インジウム亜鉛 ,  埋込 ,  ナノサイズ ,  銀 ,  伝導