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J-GLOBAL ID：201202292601933886   整理番号：12A0597749

水酸化フラーレン混合スラリーによるサファイアCMPに関する研究-材料除去メカニズムの検討-

著者 (5件)： 齊藤貴志 (九州工大 大学院) ,  鈴木恵友 (九州工大 大学院) ,  KHAJORNRUNGRUANG (九州工大 大学院) ,  烏谷恵里香 (九州工大 大学院) ,  木村景一 (九州工大 大学院)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2012  号： 春季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.J38  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LEDに使用されるサファイア基板には平坦性が求められ,表面仕上げ加工にCMP技術が広く用いられているが,サファイアは耐薬品性,耐摩耗性に優れているためポリシングレートが低く長時間の加工が必要となる。そこで加工時間短縮のため化学反応を活発化して,コロイダルシリカスラリーに水酸化フラーレンを混合した新たなサファイアCMP加工技術を提案している。今回はサファイアCMPにおける材料除去メカニズムの検討を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヒドロキシ化合物 ,  スラリー ,  サファイア ,  *化学研磨 ,  *基板 ,  耐化学性 ,  耐摩耗性 ,  加工時間 ,  *発光ダイオード ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： *CMP【化学研磨】 ,  *サファイア基板 ,  *水酸化フラーレン ,  耐薬品性

分類 (2件)： 研削  (QC03000R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水酸化フラーレン ,  混合スラリー ,  サファイア ,  CMP ,  研究 ,  材料除去 ,  メカニズム