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J-GLOBAL ID：201202292674610678   整理番号：12A0139688

トンネリングによるGaAs-AlGaAs量子ドットにおけるトライオン形成

Trion formation in GaAs-AlGaAs quantum dots by tunneling

著者 (3件)： ZHANG Botao ,  SNOKE David W. ,  HEBERLE Albert P.
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 152  号： 4  ページ： 296-299  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： トンネル効果 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *量子ドット ,  *準粒子 ,  光ルミネセンス ,  正孔 ,  電子 ,  励起子分子
準シソーラス用語： バイエキシトン

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (6件)： トンネリング ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子ドット ,  トラ ,  イオン