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J-GLOBAL ID：201202292844728709   整理番号：12A0832738

酸化第二銅におけるドーパントの密度汎関数理論解析

Density functional theory analysis of dopants in cupric oxide

著者 (6件)： PENG Yuan (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  ZHANG Zhen (Inst. of High Performance Computing, 1 Fusionopolis Way, #16-16 Connexis, Singapore 138632) ,  VIET PHAM Thien (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  ZHAO Yang (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  WU Ping (Engineering Product Dev., Singapore Univ. of Technol. and Design, 20 Dover Drive, Singapore 138682) ,  WANG Junling (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 10  ページ： 103708-103708-5  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型およびn型酸化第二銅両者の作製は大規模光起電力応用に対して非常に重要である。酸化第二銅において酸素空孔は深いドナーであるが,銅空孔が良好なp型伝導に導くことができる事を第一原理密度汎関数理論計算で確認した。酸化第二銅の電気伝導を調べるために,幾つかの可能なアクセプタとドナーに対するイオン化レベル同様に欠陥形成エネルギーを計算した。LiとNaは浅いアクセプタで形成エネルギーが酸素過剰環境では低い事を示した。しかし,多くのドナーがバンドギャップで深い遷移レベルそして/または高い形成エネルギーを持ち,n型伝導をドナーで誘起する事は相対的に困難である事も見出した。HfとZrは伝導帯最小下で約0.2eVの最も浅いイオン化レベルを持つが,その形成エネルギーは相対的に高く,ドープされた酸化第二銅の電気伝導率を制限している。この研究では酸化第二銅でn型伝導を得ることが何故難しいかを説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化第二銅 ,  *電気伝導 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  *ドーパント ,  空孔欠陥 ,  第一原理 ,  エネルギー ,  バンド構造 ,  *イオン化ポテンシャル ,  バンドギャップ ,  光起電素子 ,  *密度汎関数法
準シソーラス用語： *イオン化エネルギー ,  形成エネルギー

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化第二銅 ,  ドーパント ,  密度汎関数理論 ,  解析