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J-GLOBAL ID：201202292893371778   整理番号：12A1466669

スピン移動スイッチ型磁気トンネル接合におけるビット誤り率の研究

Bit error rate investigation of spin-transfer-switched magnetic tunnel junctions

著者 (4件)： WANG Zihui (Avalanche Technol., 48371 Fremont Blvd., Suite 101 Fremont, California 94538, USA) ,  ZHOU Yuchen (Avalanche Technol., 48371 Fremont Blvd., Suite 101 Fremont, California 94538, USA) ,  ZHANG Jing (Avalanche Technol., 48371 Fremont Blvd., Suite 101 Fremont, California 94538, USA) ,  HUAI Yiming (Avalanche Technol., 48371 Fremont Blvd., Suite 101 Fremont, California 94538, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 14  ページ： 142406-142406-4  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相補型金属-酸化物-半導体回路に組み込まないで,スピン移動トルク型磁気抵抗ランダムアクセスメモリの磁気トンネル接合(MTJ)素子における高速ビット誤り率(BER)の特性を評価できる方法を開発した。MTJ素子からの反射信号を利用することによって,開発した装置は1秒当たり10⁶以上の書き込み事象に関するビット誤り率を素早く測定できる。更に,書き込み誤差の詳細な解析を支援できるこの方法は,スイッチング事象の過程におけるMTJの抵抗状態を試験するための時間領域能力を提供することを示す。この方法を用いて,一連のスピン移動トルクMTJ素子のBERを評価し,最適化された面内MTJ素子に関してビット誤りの無い動作(10^-8まで)を実証することができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： トルク ,  スイッチング ,  トンネル接合 ,  *誤り率 ,  *MRAM ,  計測 ,  信号特性
準シソーラス用語： スピン移動トルク ,  *ビット誤り率 ,  時間領域 ,  時間領域反射測定法 ,  磁気トンネル接合

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： スピン移動 ,  磁気トンネル接合 ,  ビット誤り率 ,  研究