文献

J-GLOBAL ID：201202292936881350   整理番号：12A1102859

ケイ素基板上のIII-V族CMOS電子回路

III-V Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Electronics on Silicon Substrates

著者 (14件)： NAH Junghyo (Univ. California, California, USA) ,  NAH Junghyo (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  FANG Hui (Univ. California, California, USA) ,  FANG Hui (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  WANG Chuan (Univ. California, California, USA) ,  WANG Chuan (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  TAKEI Kuniharu (Univ. California, California, USA) ,  TAKEI Kuniharu (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  LEE Min Hyung (Univ. California, California, USA) ,  LEE Min Hyung (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  PLIS E. (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  KRISHNA Sanjay (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  JAVEY Ali (Univ. California, California, USA) ,  JAVEY Ali (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 7  ページ： 3592-3595  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaSb基板上にAl_0.2Ga_0.8Sbを犠牲層としてヒ化インジウム(A)およびInAs/In_0.3Ga_0.7Sb/InAs層(B)をMOCVDにより成長させ,犠牲層の溶出により活性層のナノリボンを作製した。酸化ケイ素/ケイ素基板上にPDMSスタンプにより活性層パターンを転写し,酸化ジルコニウムゲート誘電体,ゲート電極を積層して,Aのn型MOSFETとBのp型MOSFETが電極を挟んで並列するCMOS-FETを作製した。電子移動度1190および正孔移動度370cm²/Vsを得た。CMOS NOTおよびNAND論理素子を作製した。

シソーラス用語： アンチモン化ガリウム ,  *ガリウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  *アンチモン化物 ,  層 ,  *ヒ化インジウム ,  *インジウム化合物 ,  積層構造 ,  MOCVD ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  酸化ケイ素 ,  ポリジメチルシロキサン ,  印字 ,  パターン転写 ,  酸化ジルコニウム ,  酸化膜 ,  電極 ,  *MOSFET ,  *半導体 ,  キャリア移動度 ,  *NOT回路 ,  *NAND回路 ,  *ウエハ【IC】 ,  *CMOS ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： PDMS【重合体】 ,  アンチモン化アルミニウムガリウム ,  *アンチモン化ガリウムインジウム ,  *ケイ素基板 ,  ゲート電極 ,  ゲート誘電体 ,  スタンプ ,  ナノリボン ,  犠牲層 ,  正孔移動度 ,  電子移動度

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  論理回路  (NC05070B) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (2件)： ケイ素基板 ,  CMOS電子回路