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J-GLOBAL ID：201202293095946172   整理番号：12A1568094

コア-シェル構造ケイ素ナノワイヤ光起電力素子の光吸収の形状設計による調節

Tuning Light Absorption in Core/Shell Silicon Nanowire Photovoltaic Devices through Morphological Design

著者 (8件)： KIM Sun-Kyung (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  KIM Sun-Kyung (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  DAY Robert W. (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  CAHOON James F. (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  KEMPA Thomas J. (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  SONG Kyung-Deok (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Hong-Gyu (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  LIEBER Charles M. (Harvard Univ., Massachusetts, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 9  ページ： 4971-4976  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の径および断面構造をもつp/i/n型コア-シェル構造ケイ素ナノワイヤを成長させた。単一ナノワイヤ素子について光電流スペクトルを測定した。金ナノ粒子触媒のサイズの調節およびシェル成長時間によりシェル厚の異なる一連の六角形断面ナノワイヤ(170~380nm径)について実測した量子収量スペクトルは波長に対して複数のピークを示し,有限差分時間領域法を用いる計算機シミュレーションとあわせてFabry-Perot,ホイスパリングギャラリーモードおよび高次の共鳴吸収モードの寄与を調べた。ホスフィン共存下の{113}端面選択的なシェル成長により合成した四角形のシェル断面をもつナノワイヤ(260nm径)は570nmに量子収量がほぼ1の主モードを示し,高対称性のキャビティモードに帰属した。成長条件の選択による断面形状の制御は低損失結晶の成長に有効と結論した。

シソーラス用語： PIN接合 ,  構造 ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *光起電素子 ,  光吸収 ,  矩形断面 ,  円形断面 ,  六角形 ,  *形状効果 ,  サイズ効果 ,  スペクトル ,  *結晶成長 ,  ナノ粒子 ,  金化合物 ,  遷移金属触媒 ,  量子収量 ,  有限差分時間領域法 ,  計算機シミュレーション ,  Fabry-Perot共振器 ,  共鳴吸収 ,  ホスフィン ,  添加物効果 ,  結晶面 ,  結晶形態 ,  選択成長 ,  スペクトル線帰属 ,  損失 ,  *太陽電池 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： ホイスパリングギャラリーモード ,  金ナノ粒子 ,  金触媒 ,  結晶シリコン太陽電池 ,  光起電力素子 ,  光電流スペクトル ,  四角形断面 ,  伝播損失

分類 (5件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： コア-シェル構造 ,  ケイ素ナノワイヤ ,  光起電力素子 ,  光吸収 ,  形状設計 ,  調節