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J-GLOBAL ID：201202293148849670   整理番号：12A1328027

バンドギャッププロファイリング法によるa-Si_1-xGe_x:H単一接合薄膜太陽電池性能の改良

Improvement of a-Si_1-xGe_x:H single-junction thin-film solar cell performance by bandgap profiling techniques

著者 (3件)： HSU Hung-jung ,  HSU Cheng-hang ,  TSAI Chuang-chuang
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2277-2280  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-Si_1-xGe_x:Hにおいて,水素希釈が膜のGe含有量に与える影響と,p/i及びi/n界面近傍におけるバンドギャップのグレイディングが電池性能に与える影響を調べた。p/iグレーディング及びi/nグレイディングを採用するとa-Si_1-xGe_x:H単一接合太陽電池の性能が改良されることが分かった。i/nグレイディングはグレイディングが無い場合と比べてV_OCとFF(充填率)を増加させ,J_SCを下げる。i/nグレイディングにより作られた電位の勾配がFFによって正孔輸送を容易にするものと思われる。他方,p/iグレイディングで作られた電位障壁は電池性能を下げ,FFとJ_SCの低下に起因してp/iグレイディングを20nm以下に制約する。適正なp/iグレイディングとi/nグレイディングの厚さは,それぞれ,20nmと45nmである。ドープ層の最適化により電池効率を8.59%とすることができる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  アモルファスシリコン ,  *合金 ,  *水素化 ,  ドーピング ,  バンドギャップ ,  *エネルギー変換効率 ,  因子 ,  比率 ,  電圧 ,  短絡電流
準シソーラス用語： *ゲルマニウムシリコン合金 ,  開路電圧 ,  充填率 ,  *水素添加 ,  *薄膜太陽電池

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (1件)： 薄膜太陽電池