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J-GLOBAL ID：201202293179502946   整理番号：12A0256708

紫外レーザ照射によるNiO薄膜中の制御したp型からn型への電気伝導率の移行

Controlled p-type to n-type conductivity transformation in NiO thin films by ultraviolet-laser irradiation

著者 (4件)： GUPTA Pranav (Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27606, USA) ,  DUTTA Titas (Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27606, USA) ,  MAL Siddhartha (Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27606, USA) ,  NARAYAN Jagdish (Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27606, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 1  ページ： 013706  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c-サファイア上のNiO薄膜のナノ秒極端紫外エキシマレーザパルスで誘起した構造的,電気的および光学的性質の系統的な変化を報告する。堆積したままのNiOのエピタキシャル性はX線回折と透過型電子顕微鏡観察(TEM)で決めたが,NiO膜成長が互いに60°面内回転したサファイアの双晶分域上で[111]方向に進むことを確認した。パルスレーザのエネルギー密度0.275J/cm²においてNiO膜はp型半導体からn型導体への抵抗率の3桁もの減少を伴う変換を起こしたが,その立方晶系構造と良好なエピタクシーは保持することを明らかにした。TEMと電子エネルギー損失分光が,レーザ処理によりニッケルクラスタの形成も析出も生じないことを納得させた。レーザ誘起n型キャリア輸送と伝導率の増進は,続く酸素中での高温焼なましで可逆であった。この電気伝導挙動の変化は,レーザ誘起Ni⁰状の欠陥状態の非平衡濃度と関連していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： サファイア ,  *酸化ニッケル ,  薄膜 ,  ナノ秒 ,  極端紫外線 ,  エキシマレーザ ,  *パルスレーザ照射 ,  光学的性質 ,  構造特性 ,  電気的性質 ,  エピタクシー ,  双晶 ,  電気抵抗率 ,  立方晶系 ,  透過型電子顕微鏡 ,  焼なまし ,  *電気伝導率 ,  電子エネルギー損失スペクトル ,  輸送現象 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： *欠陥状態【格子】 ,  キャリア輸送

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 紫外レーザ ,  薄膜 ,  電気伝導率 ,  移行