文献

J-GLOBAL ID：201202293584526607   整理番号：12A0776353

極端紫外線により誘起したC汚染の種々の顕微鏡観察による研究: 表面に依存する二次電子に基づくモデル

Combined microscopies study of the C-contamination induced by extreme-ultraviolet radiation: A surface-dependent secondary-electron-based model

著者 (10件)： PREZIOSO S. (Dip. di Fisica, Universita dell’Aquila, Via Vetoio, 67100 L’Aquila, ITA) ,  DONARELLI M. (Dip. di Fisica, Universita dell’Aquila, Via Vetoio, 67100 L’Aquila, ITA) ,  BISTI F. (Dip. di Fisica, Universita dell’Aquila, Via Vetoio, 67100 L’Aquila, ITA) ,  PALLADINO L. (Dip. di Fisica, Universita dell’Aquila, Via Vetoio, 67100 L’Aquila, ITA) ,  SANTUCCI S. (Dip. di Fisica, Universita dell’Aquila, Via Vetoio, 67100 L’Aquila, ITA) ,  SPADONI S. (Micron, Process R&D, Via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  AVARO L. (Micron, Process R&D, Via C. Olivetti 2, 20864 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  LISCIO A. (CNR-ISOF, Via Gobetti 101, 40129 Bologna, ITA) ,  PALERMO V. (CNR-ISOF, Via Gobetti 101, 40129 Bologna, ITA) ,  OTTAVIANO L. (Dip. di Fisica, Universita dell’Aquila, Via Vetoio, 67100 L’Aquila, ITA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 20  ページ： 201603-201603-4  発行年： 2012年05月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 周期変調した極端紫外線(EUV)(λ=46.9nm)を照射したSiO₂とAl₂O₃の表面を光学顕微鏡法,走査電子顕微鏡法,走査型Auger顕微鏡法,原子間力顕微鏡法,Kelvinプローブ力顕微鏡法によりμm尺度で調べた。EUV照射量の同じ周期変調を維持して炭素汚染層の形成を観測した。炭化水素分子堆積の機構を変調Auger信号とそれに対応するEUV照射量の間の相関図の助けを借りて調べた。表面依存する二次電子に基づくモデルを提唱した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 極端紫外線 ,  電子 ,  モデル ,  *紫外線照射 ,  二酸化ケイ素 ,  酸化アルミニウム ,  表面構造 ,  光学顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  力顕微鏡 ,  炭素 ,  顕微鏡観察 ,  吸着 ,  *汚染
準シソーラス用語： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  二次電子 ,  走査型Auger顕微鏡 ,  *炭素汚染 ,  炭素吸着

分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 極端紫外線 ,  誘起 ,  汚染 ,  顕微鏡観察 ,  研究 ,  二次電子 ,  モデル