文献

J-GLOBAL ID：201202293846717247   整理番号：12A1435753

300KにおけるGaAs/AlGaAs/n-GaAsコア-シェル表皮ナノワイヤのキャリア寿命

Carrier lifetimes of GaAs/AlGaAs/n-GaAs core-shell-skin nanowires at 300K

著者 (6件)： BALGOS MH (Univ. Philippines Diliman) ,  JACULBIA R (Univ. Philippines Diliman) ,  VIZCARA S (Univ. Philippines Diliman) ,  ESTACIO E (Univ. Philippines Diliman) ,  SALVADOR A (Univ. Philippines Diliman) ,  SOMINTAC A (Univ. Philippines Diliman)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.13P-G2-5  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  時間分解分光法 ,  *光ルミネセンス ,  構造 ,  *キャリア寿命 ,  レート方程式 ,  MBE成長 ,  *蛍光減衰 ,  コアシェル構造

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  AlGaAs ,  コア-シェル ,  表皮 ,  ナノワイヤ ,  キャリア寿命