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J-GLOBAL ID：201202294157543734   整理番号：12A0566832

強く過冷却したNi-Si合金の結晶成長速度

Crystal growth velocity in deeply undercooled Ni-Si alloys

著者 (1件)： LUE Y. J. (Beijing Inst. Technol., Beijing, CHN)
資料名： Philosophical Magazine Letters  (Philosophical Magazine Letters)
巻： 92  号： 1/3  ページ： 56-66  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： T0360A  ISSN： 0950-0839  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子動力学シミュレーションを用いて,Ni₉₅Si₅およびNi₉₀Si₁₀合金の結晶成長速度を過冷却の関数として調べた。修正埋込み原子法ポテンシャルから,Ni₉₅Si₅およびNi₉₀Si₁₀合金の平衡液相線温度はそれぞれT_l~1505および1387Kと求まった。液相線温度から強過冷却領域に至る範囲で,両合金の結晶成長速度は過冷却の増大と共に最大値に達しその後ゆるやかに減少したが,単体Niに現れる非熱成長過程は,Ni-Si両合金では観測しなかった。その代わりに,成長速度の過冷却依存性は拡散律速モデルによってよく説明でき,さらに,溶融体から液-固界面に至る拡散に係る活性化エネルギーは,濃度が5から10原子%Siまで増加すると共に増加し,その結果,成長速度は著しく減少した。

シソーラス用語： *計算機シミュレーション ,  *ニッケル合金 ,  ケイ素含有合金 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  濃度 ,  *結晶成長 ,  成長速度 ,  過冷却 ,  結晶化 ,  密度汎関数法 ,  ポテンシャル ,  平衡 ,  液相線 ,  温度 ,  依存性 ,  拡散律速 ,  活性化エネルギー ,  固液界面 ,  移動度 ,  モル体積 ,  拡散係数 ,  エンタルピー ,  秩序パラメータ
準シソーラス用語： 液固界面 ,  自己拡散係数 ,  *分子動力学シミュレーション ,  埋込み原子法

分類 (1件)： 金属の結晶成長  (BK13030M)

タイトルに関連する用語 (2件)： 過冷却 ,  結晶成長速度