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J-GLOBAL ID：201202294384554955   整理番号：12A0930032

Si/Si_1-xGe_xヘテロ構造とSi_1-xGe_x合金の第一原理による電子依存熱電気的性質

Electron-dependent thermoelectric properties in Si/Si_1-xGe_x heterostructures and Si_1-xGe_x alloys from first-principles

著者 (2件)： HOSSAIN M. Z. (Div. of Engineering and Applied Sci., California Inst. of Technol., Pasadena, California 91125, USA) ,  JOHNSON H. T. (Dep. of Mechanical Sci. and Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 25  ページ： 253901-253901-5  発行年： 2012年06月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォノニック熱伝導(合金化により低下し,広範な組成変化にわたりほぼ一定の値を持つことが文献に示されている)と異なり,電子に依存する熱電気的性質は組成に非線形に変化することを第一原理から示した。考察したSi/Si_1-xGe_x系では,結晶Siよりも10%高い最高熱起電力をSi_0.875Ge_0.125合金で観測した。また,ヘテロ構造は熱起電力,電気伝導率,電子熱伝導率を低下させることを示した。さらに,電子/正孔エネルギーに無関係に,Lorentz数やSeebeck係数は振動を示さず,ミニバンド近似で得た結論と矛盾する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 第一原理 ,  熱伝導 ,  依存性 ,  *熱起電力 ,  ケイ素化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *素子構造 ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  熱伝導率 ,  定数 ,  輸送係数 ,  電気伝導
準シソーラス用語： Lorentz数 ,  Seebeck係数 ,  *ヘテロ構造 ,  組成依存性

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ヘテロ構造 ,  合金 ,  第一原理 ,  電子 ,  熱電気的性質