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J-GLOBAL ID：201202294568584539   整理番号：12A0460903

エピタキシャルSrTiO₃/SrZrO₃(001)ヘテロ接におけるバンドオフセット

Band offsets at the epitaxial SrTiO₃/SrZrO₃ (0 0 1) heterojunction

著者 (7件)： SCHAFRANEK R (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SCHAFRANEK R (On leave from Darmstadt Univ. Technol., Darmstadt, DEU) ,  BANIECKI J D (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  ISHII M (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  KOTAKA Y (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  YAMANKA K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  KURIHARA K (On leave from Darmstadt Univ. Technol., Darmstadt, DEU)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 5  ページ： 055303,1-5  発行年： 2012年02月08日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (001)配向SrTiO₃:Nb単結晶上にエピタキシャルSrZrO₃薄膜をパルスレーザ蒸着し,SrTiO₃とSrZrO₃の界面形成をその場光電子分光法を用いて調べた。X線回折とCs補正した高角環状暗視野透過型走査電子顕微鏡法を用いてエピタキシャル成長を確認した。解析した界面にタイプIのストラドリング構成を認め,価電子バンドと伝導バンドのオフセットはそれぞれ0.5eVと1.9eVであった。

シソーラス用語： エピタクシー ,  チタン酸ストロンチウム ,  ジルコニウム酸塩 ,  ストロンチウム化合物 ,  *ヘテロ接合 ,  *バンドオフセット ,  レーザ蒸着 ,  X線構造解析 ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  X線回折 ,  内殻準位 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： ジルコニウム酸ストロンチウム

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： エピタキシャル ,  バンドオフセット