ステップのあるSiC表面上のエピタキシャルグラフェンにおける異方性量子Hall効果

SCHUMANN T.; FRIEDLAND K.-J.; OLIVEIRA M.H.,Jr.; TAHRAOUI A.; LOPES J.M.J.; RICHERT H.

文献

J-GLOBAL ID：201202294746770759 整理番号：12A1148408

ステップのあるSiC表面上のエピタキシャルグラフェンにおける異方性量子Hall効果

Anisotropic quantum Hall effect in epitaxial graphene on stepped SiC surfaces

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巻： 85 号： 23 ページ： 235402.1-235402.5 発行年： 2012年06月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体薄膜 , 半導体結晶の電気伝導

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