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J-GLOBAL ID:201202294902872990   整理番号:12A1019724

選択領域イオン注入と熱酸化によるミリメータ長ZnOナノ粒子集合体マイクロストリップ構造の形成

Microstrip structures of ZnO nanoparticle aggregates of millimetric length formed by selected-area ion implantation and thermal oxidation
著者 (7件):
資料名:
巻: 20  号:ページ: 065303 (6 PP.)  発行年: 2009年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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幅~1.4μm,最大長~5mmの規則配列したマイクロストリップ領域を,選択領域イオン注入および熱酸化の二段階過程によって石英基板上に作製した。レジストマスクを介した周期的マイクロストリップ領域へ60keV-Znイオンを注入することによって,大きな翼を持つ周期的溝が石英ガラス表面に生じたが,これは,石英の照射誘起塑性変形およびスパッタ損失が原因であった。これは,石英で照射誘起塑性変形を生じるための電子エネルギー損失(Se)値の最低記録であったが,一方最近の研究では,零ないし非常に低い閾値エネルギーが予測されている。700°Cで1hの熱酸化後,翼付き溝構造は消失した,そして基板表面に最大長5mmのZnOナノ粒子集合体の周期的マイクロストリップが出現した。光吸収スペクトルおよび光ルミネセンススペクトルの双方で,これらZnOナノ粒子のマイクロストリップ構造による明確な自由励起子ピークを観測した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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