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J-GLOBAL ID：201202294904382710   整理番号：12A1506603

GaAs/InAs量子ドットヘテロ構造中の小信号場効果

Small-signal field effect in GaAs/InAs quantum-dot heterostructures

著者 (1件)： TIKHOV S. V. (Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 10  ページ： 1274-1280  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルn-GaAs膜の空間電荷領域に表面から距離を変えて(5~300nm)埋め込んだInAs量子ドット(QD)は,n-GaAs中に位置する電子へのポテンシャル障壁を低下させる。トンネル効果に適した薄さの皮膜層では,この低下はQDエネルギー準位を介したトンネリングに関連する。より厚い層では,この低下の原因はQD準位とQD付近に位置する欠陥の負の帯電である。障壁の低下は表面状態による電子捕獲の効率を増加させ,捕獲に関連した電界効果下の移動度を周波数分散のより高い側へシフトさせる。QDが障壁のベース近くに取り込まれると,その影響は小信号場効果の緩和として現れる。QDのいくつかのパラメータを求めた。QD近くの層で欠陥形成が明らかになった。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  素子構造 ,  モデル ,  エピタクシー ,  エネルギー準位 ,  *トンネル効果 ,  *格子欠陥 ,  *帯電 ,  移動度 ,  *ポテンシャル障壁 ,  化合物半導体 ,  埋込み【挿入】 ,  電子捕獲
準シソーラス用語： 小信号モデル ,  *ヘテロ構造

分類 (3件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  InAs量子ドット ,  ヘテロ構造