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J-GLOBAL ID：201202294998211272   整理番号：12A0059072

エタノールセンシング用のマイクロチャネルへのグラフェン電界効果トランジスタアレイの作製

Fabrication of a graphene field effect transistor array on microchannels for ethanol sensing

著者 (6件)： CHEN Bangdao (State Key Lab. for Manufacturing Systems Engineering, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN) ,  LIU Hongzhong (State Key Lab. for Manufacturing Systems Engineering, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN) ,  LI Xin (Dep. of Microelectronics, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN) ,  LU Congxiang (Dep. of Microelectronics, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN) ,  DING Yucheng (State Key Lab. for Manufacturing Systems Engineering, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN) ,  LU Bingheng (State Key Lab. for Manufacturing Systems Engineering, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an 710049, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 6  ページ： 1971-1975  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロチャネルへのバックゲートグラフェン(FET)(電界効果トランジスタ)作製への新しい」アプローチを研究した。SU-8(ネガティブフォトレジスト)による基板上に形成された狭い壁を頂上金属電極と共にグラフェンピースを前もって堆積されたもう一つのシリコン/SiO₂基板上に押し付け,電極がグラフェンピースと接触し,ソース-ドレインコンタクトを形成するようにする。頂上金属層を有するSU-8の狭い壁は通常のリフトオフプロセスで製作された。グラフェンピースはグラフェン酸化物から化学的に還元された。I_DSはデバイスがエタノール雰囲気に曝されると直ちに17%以上変化した。エタノールガスが排気されると電流は非常に良く回復した。SU-8マイクロチャネルはエタノール蒸気がデバイスのセンシング領域に達するのを助ける気体流通路(グラフェンチャンネル)として使われる。この研究はセンシング応用のためのバックゲートグラフェンFETの構築に便利な道筋を提供する。この方法は量産に向けてスケールアップ可能である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  チャネル ,  フォトレジスト ,  フォトリソグラフィー ,  MEMS ,  *炭素材 ,  微細加工 ,  パターン形成 ,  ガスセンサ ,  脂肪族アルコール ,  マイクロチャネル ,  *グラフェン
準シソーラス用語： バックゲート ,  リフトオフ法

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (5件)： マイクロチャネル ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  アレイ ,  作製