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J-GLOBAL ID：201202295075069550   整理番号：12A0925390

SiCの溶液成長の際のらせん階段上の2次元核生成によって形成された積層欠陥の繰り返しによる多形転換

Polytype Transformation by Replication of Stacking Faults Formed by Two-Dimensional Nucleation on Spiral Steps during SiC Solution Growth

著者 (10件)： HARADA Shunta (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ALEXANDER (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKI Kazuaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAMOTO Yuji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZHU Can (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAMOTO Yuta (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ARAI Shigeo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMASAKI Jun (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANAKA Nobuo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  UJIHARA Toru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 12  号： 6  ページ： 3209-3214  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCのSi面に成長するらせん階段状結晶の上に形成された2D核生成による積層欠陥(SFs)の多形転換を透過型電子顕微鏡(TEM)とミクロラマン分光法によって研究した。その結果,4H-SiC(0001)Si面上にはらせん状の4H-,15R-,および6H-SiCが成長することがわかった。一度,4H-SiCから15R-あるいは6H-SiCへ多形転換すると,その多形はめったに4H-SiCにもどらない。多形転換の直前に,積層シーケンス内ではSFsの導入を含む撹乱が観測された。らせん成長中の多形転換はらせん階段における単一の2分子層の2D核生成によることがわかった。多くの場合,らせん階段上の2D核生成によってSFsが生じるが,らせんの先端付近でSFsが生じると,そのSFsは複製されて多形転換が起きる。従って,SFsの導入による積層シーケンスの撹乱は多形転換の直前に観測されることが多いことになる。この多形転換モデルは実際の多形転換経路の観測結果とよく一致している。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  液相成長 ,  *螺旋転位 ,  表面ステップ ,  *核形成 ,  *積層欠陥 ,  *多形転移 ,  電子顕微鏡観察 ,  Ramanスペクトル ,  原子間力顕微鏡

分類 (3件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  溶液成長 ,  2次元 ,  核生成 ,  積層欠陥 ,  多形 ,  転換