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J-GLOBAL ID：201202295490697443   整理番号：12A0024293

有機薄膜トランジスタにおけるサブミクロン分解能を持つ電界と電荷分布のイメージング

Electric field and charge distribution imaging with sub-micron resolution in an organic Thin-Film Transistor

著者 (7件)： SCIASCIA Calogero (CNST IIT@Politecnico di Milano, via Pascoli 70/3, 20133 Milano, ITA) ,  CELEBRANO Michele (Physics Dep., Politecnico di Milano, Piazza Leonardo da Vinci 32, 20133 Milano, ITA) ,  BINDA Maddalena (CNST IIT@Politecnico di Milano, via Pascoli 70/3, 20133 Milano, ITA) ,  NATALI Dario (CNST IIT@Politecnico di Milano, via Pascoli 70/3, 20133 Milano, ITA) ,  NATALI Dario (Electronics Dep., Politecnico di Milano, Piazza Leonardo da Vinci 32, 20133 Milano, ITA) ,  LANZANI Guglielmo (CNST IIT@Politecnico di Milano, via Pascoli 70/3, 20133 Milano, ITA) ,  CABANILLAS-GONZALEZ Juan R. (Madrid Inst. for Advanced Studies (IMDEA) in Nanoscience, Facultad de Ciencias, Av. Tomas y Valiente 7, Cantoblanco ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 13  号： 1  ページ： 66-70  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,共焦点顕微鏡と組み合わせたStark分光法が,種々の動作条件下でn型銅フッ化フタロシアニン薄膜トランジスタ(TFT)における電界を直接マッピングできる方法を示す。この点で,検出した信号がプローブ容積に関する局所電場の二乗に直接比例するという事実を利用して,500nm以上の名目空間分解能で電気反射を局所的に探査する。低入射電力を利用するため非侵襲的であり,また表面よりバルク内に存在する電界を探査するため,この電界イメージング技術は独特の長所を有する。実験データを数値モデリングと組み合わせることにより,数ナノメートル厚さの蓄積層内の空間電荷プロファイルの再構築だけでなく,AC電子移動度を抽出することが可能になる。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *電荷分布 ,  光学顕微鏡法 ,  フタロシアニン錯体 ,  モデリング ,  空間電荷 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ ,  共焦点顕微鏡観察 ,  数値モデリング ,  電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機薄膜トランジスタ ,  サブ ,  分解能 ,  電界 ,  電荷分布 ,  イメージング