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J-GLOBAL ID：201202295499148450   整理番号：12A0121765

懸垂および二重ゲート付き三層グラフェンにおける電気輸送

Electrical transport in suspended and double gated trilayer graphene

著者 (5件)： KHODKOV Tymofiy (Centre for Graphene Sci., Coll. of Engineering, Mathematics and Physical Sciences, Univ. of Exeter, Exeter EX4 4QF, GBR) ,  WITHERS Freddie (Centre for Graphene Sci., Coll. of Engineering, Mathematics and Physical Sciences, Univ. of Exeter, Exeter EX4 4QF, GBR) ,  CHRISTOPHER HUDSON David (Centre for Graphene Sci., Coll. of Engineering, Mathematics and Physical Sciences, Univ. of Exeter, Exeter EX4 4QF, GBR) ,  FELICIA CRACIUN Monica (Centre for Graphene Sci., Coll. of Engineering, Mathematics and Physical Sciences, Univ. of Exeter, Exeter EX4 4QF, GBR) ,  RUSSO Saverio (Centre for Graphene Sci., Coll. of Engineering, Mathematics and Physical Sciences, Univ. of Exeter, Exeter EX4 4QF, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 1  ページ： 013114  発行年： 2012年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,高品質の懸垂および二重ゲート付き三層グラフェン素子に対する製造過程を提示した。これらトランジスタにおける電気輸送測定は,高電荷キャリア移動度(>20000cm²/Vs)および200nmより大きいスケールでの弾道電子輸送を明らかにした。著者らは,ABC積層三層について,電場誘起エネルギーギャップと適合する-0.08V/nmの平均電気変位に対して,250に達する電流オンオフ比を報告した。これら素子の高品質を,500mTの低磁場での量子Hallプラトーの出現によっても実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *トランジスタ ,  構造 ,  *キャリア移動度 ,  *バリスティック輸送 ,  弾道電子 ,  エネルギーギャップ ,  比率 ,  量子Hall効果 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  三層構造 ,  電気変位

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 懸垂 ,  二重ゲート ,  三層グラフェン ,  電気輸送