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J-GLOBAL ID：201202295580004528   整理番号：12A0839074

メムリスティブSrTiO₃薄膜デバイスの局所酸化還元プロセスにおけるスケーリングの可能性

Scaling Potential of Local Redox Processes in Memristive SrTiO₃ Thin-Film Devices

著者 (12件)： DITTMANN Regina (Res. Center Juelich, Juelich, DEU) ,  MUENSTERMANN Ruth (Res. Center Juelich, Juelich, DEU) ,  KRUG Ingo (Res. Center Juelich, Juelich, DEU) ,  PARK Daesung (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  MENKE Tobias (Res. Center Juelich, Juelich, DEU) ,  MENKE Tobias (AUDI AG, Ingolstadt, DEU) ,  MAYER Joachim (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  BESMEHN Astrid (Res. Center Juelich, Juelich, DEU) ,  KRONAST Florian (Helmholtz Zentrum Berlin, Berlin, DEU) ,  SCHNEIDER Claus Michael (Res. Center Juelich, Juelich, DEU) ,  WASER Rainer (Res. Center Juelich, Juelich, DEU) ,  WASER Rainer (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 100  号： 6  ページ： 1979-1990  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,次の質問を取扱う:抵抗スイッチングプロセスは,単結晶モデル材料FeドープSrTiO₃のメムリスティブ薄膜デバイスのどこで起こっているのか?裸の薄膜表面上で原子間力顕微鏡先端によって誘起された抵抗スイッチングをPtトップ電極を持つメムリスティブデバイスで観察されるスイッチング特性と比較した。二つのアプローチのギャップを小さくするために,伝導性チップ原子間力顕微鏡を層間剥離技術と結びつけた。それによって,FeドープSrTiO₃金属-絶縁体-金属(MIM)構造のトップ電極を除去し,ナノスケールの横方向解像度を持ってアクティブスイッチング界面に関する知見を得ることができた。これによって,同一試料において,逆のスイッチング極性を持つフィラメント状及び面積依存スイッチングプロセスの共存を証明できた。透過型電子顕微鏡及び光電子分光マイクロ法による空間分解解析によって,二つのスイッチングタイプは欠陥密度が異なりと化学量論比に大きな相違があるデバイス領域で起こっていることが分かった。

シソーラス用語： *半導体集積回路 ,  *回路部品 ,  インダクタ ,  コンデンサ ,  抵抗器 ,  スケーリング【計数】 ,  酸化還元反応 ,  スイッチング ,  酸化物 ,  遷移金属化合物 ,  透過型電子顕微鏡 ,  光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  メムリスタ ,  レドックス ,  遷移金属酸化物 ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜デバイス ,  局所酸化 ,  還元 ,  プロセス ,  スケーリング ,  可能性