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J-GLOBAL ID：201202295602591287   整理番号：12A1327982

水素化アモルファスシリコンにおけるルミネセンス減衰とシリコンナノ構造

Luminescence decay in hydrogenated amorphous silicon and silicon nanostructures

著者 (5件)： TSUSHIMA Kouhei (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN) ,  NAKATA Hitoshi (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN) ,  MONJI Kunitaka (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN) ,  DEKI Hidenori (Hiroshima Kokusai Gakuin Univ., Nakano, Aki-ku, Hiroshima-shi, Hiroshima-ken 739-0321, JPN) ,  MURAYAMA Kazuro (Coll. of Humanities and Sciences, Nihon Univ., Sakurajosui 3-25-40, Setagaya-ku, Tokyo 156-8550, JPN)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2090-2095  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)において20Kより低温で観測される拡張指数関数型ルミネセンス減衰は,局在化バンドテイル状態での電子ホッピングにより60K付近でべき級数減衰に遷移する。4.2Kでのa-Si:Hのルミネセンス減衰は多孔質シリコン(p-Si)のSiナノ粒子のそれときわめて類似していることが分かった。寿命が約1msの遅いルミネセンスがa-Si:H中の水素フリーのSiナノ構造中に量子的に閉じ込められたスピン三重項状態での励起子電子-正孔対の再結合によるものであることがp-Siとの比較から解釈できる。寿命約1μsの速いルミネセンスはスピン一重項状態での電子-正孔対の再結合によるもので,その寿命は間接光学遷移により解釈できる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *水素化物 ,  *ルミネセンス ,  *減衰 ,  多孔質シリコン ,  *キャリア再結合 ,  *電子遷移 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： ルミネセンス減衰 ,  間接的光学遷移 ,  *水素化アモルファスシリコン ,  電子-正孔再結合

分類 (2件)： 非晶質の電子構造一般  (BM02041I) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素化アモルファスシリコン ,  ルミネセンス ,  減衰 ,  シリコン ,  ナノ構造