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J-GLOBAL ID：201202295711850284   整理番号：12A1720081

ペンタセン薄膜中のトポグラフィとエネルギー散逸の相互関係

The interplay of topography and energy dissipation in pentacene thin films

著者 (3件)： WALL S. (Dep. of Physics and Center for Nanointegration Duisburg-Essen CENIDE, Universitaet Duisburg-Essen, D-47057 Duisburg, DEU) ,  THIEN D. (Dep. of Physics and Center for Nanointegration Duisburg-Essen CENIDE, Universitaet Duisburg-Essen, D-47057 Duisburg, DEU) ,  MEYER ZU HERINGDORF F.-j. (Dep. of Physics and Center for Nanointegration Duisburg-Essen CENIDE, Universitaet Duisburg-Essen, D-47057 Duisburg, DEU)
資料名： Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena  (Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena)
巻： 185  号： 10  ページ： 436-440  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0266C  ISSN： 0368-2048  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非線形光電子顕微鏡を使用してSi(001)及び(√3×√3)R30-Ag/Si(111)上のペンタセンアイランド中の電子励起のモーフォロジー依存寿命を調べた。λ=400nmのフェムト秒レーザパルスによる電子の光励起後減衰時定数をポンププローブ構造で空間分解して測定した。Si(001)上のペンタセンに対して,観測された寿命は濡れ層とフラクタル形状のペンタセンアイランドの間で因子2だけ変化した。測定された寿命の違いをペンタセンアイランドと濡れ層の基板への電子結合の差により説明した。(√3×√3)R30-Ag/Si(111)上のペンタセンに対して,コンパクトなアイランド中のペンタセン分子の方位は回転していたけれども同じような寿命が見られた。このことは,ペンタセンアイランドの上部層中の電子励起はそれらが崩壊する前に界面へ拡散することはないことを示唆している。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  トポグラフィー【形態】 ,  エネルギー散逸 ,  島状構造 ,  パルスレーザ ,  *ポンププローブ法 ,  *ウエハ【IC】 ,  レーザ励起 ,  *電子顕微鏡観察 ,  フラクタル次元 ,  濡れ ,  分子配向 ,  電子励起 ,  脱励起 ,  ポリアセン ,  フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *PEEM【電顕】

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： ペンタセン ,  薄膜 ,  トポグラフィ ,  エネルギー散逸 ,  相互関係