文献

J-GLOBAL ID：201202295754770934   整理番号：12A0543239

個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測

KFM observation of individual dopant potentials and electron charging

著者 (7件)： NOWAK Roland (静岡大 電子工研) ,  NOWAK Roland (Warsaw Univ. of Technol., Warsaw) ,  ANWAR Miftahul (静岡大 電子工研) ,  MORARU Daniel (静岡大 電子工研) ,  MIZUNO Takeshi (静岡大 電子工研) ,  JABLONSKI Ryszard (Warsaw Univ. of Technol., Warsaw) ,  TABE Michiharu (静岡大 電子工研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 426(SDM2011 159-175)  ページ： 13-18  発行年： 2012年01月31日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は極薄チャネルをもつナノスケールSi-FETにおける表面ポテンシャル分布と電子注入の効果の観測をケルビンプローブフォース顕微鏡(KFM)を用いて行った。低温では,個々のドナーへの電子注入効果はドナーポテンシャル井戸の消失として観測される。これはひとつのドナーに1個の電子がトラップされることによる。室温では,ドナー電位は非局在電子によって,連続的に遮蔽されていく。この異なる温度での観測結果は,電子輸送特性の違いと結びついており,低温ではドナーを介したトンネル機構,室温ではドリフト拡散機構に対応している。(著者抄録)

シソーラス用語： *ドーパント ,  *表面電位 ,  *力顕微鏡 ,  Kelvin法 ,  SOI構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *単一電子トンネル効果 ,  *帯電 ,  超薄膜 ,  *ケイ素 ,  ナノ構造 ,  電位分布 ,  キャリア注入 ,  低温 ,  ドナー ,  電子捕獲 ,  室温 ,  Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  電子注入

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子 ,  帯電 ,  観測