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J-GLOBAL ID：201202295797281104   整理番号：12A0340965

エピタキシャル成長させた量子ドットからの室温における単一光子放出

Room temperature single photon emission from an epitaxially grown quantum dot

著者 (6件)： FEDORYCH O. (Werkstoffe der Elektrotechnik and CeNIDE, Universitaet Duisburg-Essen, Bismarckstr. 81, 47057 Duisburg, DEU) ,  KRUSE C. (Inst. fuer Festkoerperphysik, Halbleiterepitaxie, Universitaet Bremen, Otto-Hahn-Allee, 28359 Bremen, DEU) ,  RUBAN A. (Werkstoffe der Elektrotechnik and CeNIDE, Universitaet Duisburg-Essen, Bismarckstr. 81, 47057 Duisburg, DEU) ,  HOMMEL D. (Inst. fuer Festkoerperphysik, Halbleiterepitaxie, Universitaet Bremen, Otto-Hahn-Allee, 28359 Bremen, DEU) ,  BACHER G. (Werkstoffe der Elektrotechnik and CeNIDE, Universitaet Duisburg-Essen, Bismarckstr. 81, 47057 Duisburg, DEU) ,  KUEMMELL T. (Werkstoffe der Elektrotechnik and CeNIDE, Universitaet Duisburg-Essen, Bismarckstr. 81, 47057 Duisburg, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 6  ページ： 061114  発行年： 2012年02月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル成長させた量子ドットからの室温における単一光子放出を示す。MgSの障壁に埋め込まれたCdSe/ZnSSeから成る量子ドットでは,300Kまで輻射再結合が支配的であることが分かった。連続光による励起下で,自己相関関数,g⁽²⁾(t),はt=0において鋭い窪みを示し,T=300Kではg⁽²⁾(0)=0.16±0.15であることが分かった。このことは,室温においても多重光子放出が大幅に抑制されることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エピタクシー ,  *量子ドット ,  室温 ,  *セレン化カドミウム ,  硫化物 ,  セレン化物 ,  亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  再結合放射 ,  自己相関関数 ,  マグネシウム化合物 ,  ポテンシャル障壁 ,  誘電体薄膜 ,  光子
準シソーラス用語： 単一光子 ,  *単一光子放出 ,  硫化マグネシウム

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル成長 ,  量子ドット ,  室温 ,  単一光子 ,  放出