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J-GLOBAL ID：201202295976417272   整理番号：12A1509698

《極薄ウェーハ/チップ薄片化技術の最前線》3次元LSI向けでは結晶評価が必須に 300°C耐熱のWSS用接着剤登場

著者 (1件)： 池田敦
資料名： Electronic Journal  (Electronic Journal)
号： 223  ページ： 64-65  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： L5481A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： TSVによる3次元LSIが困難な理由として極薄ウェーハにおける金属不純物捕獲の問題を示し,機械的応力の処理やウェーハの支持基板を用いるWSSの耐熱性検証の事例を示した。通常の半導体ウェーハと比較して薄膜化により結晶欠陥が削り取られ金属不純物の拡散が抑えられないためRetention特性が劣化する事例とともにEG層形成等の対策の必要性を示した。TSV付きウェーハでは機械的応力によるポップアップ現象を回避する方策が必要と述べた。WSSでは多様なプロセスについて検討したASETの評価を示し3Mの200°C/250°C耐熱接着剤が高評価を得たと述べた。3Mはすでに300°C耐熱のUV硬化接着剤も開発済みと述べた。

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *半導体チップ ,  三次元 ,  LSI【IC】 ,  バイアホール ,  *多層配線 ,  ケイ素 ,  *超薄膜 ,  DRAM ,  保持 ,  *支持物 ,  バンプ ,  接着剤 ,  圧縮応力 ,  引張応力
準シソーラス用語： TSV【配線】 ,  データ保持 ,  WSS

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ウェーハ ,  薄片 ,  3次元 ,  LSI ,  結晶評価 ,  接着剤